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VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin
8 bancos internos independientes
Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6
Latencia Additive programable: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
8-bit pre-fetch
Longitud de ráfaga: 8 (Intervalo sin limite, secuencial solo con dirección inicial 000), 4 con tCCD = 4 que no permite lecturas o escrituras transparentes [o al vuelo usando A12 o MRS]
Diferencial de datos Strobe Bi-direccional
Calibración interna (Auto): Autocalibración interna mediante pin ZQ (RZQ : 240 ohm ± 1)
Terminación On Die usando pin ODT
Promedio periodo de actualizacion 7.8us a un menor que TCASE 85ºC, 3.9us a 85ºC
PCB : Alto 1.180? (30.00mm), componentes a doble cara
Especificaciones tecnicas
CL(IDD): 11 ciclos
Tiempo de ciclo fila (tRCmin): 48.125ns (min.)
Actualizar a Active/Refresh tiempo comando (tRFCmin): 260ns (min.)
Tiempo de ciclo fila (tRASmin) 35ns (min.)
Potencia máxima de funcionamiento 2.100 W (Potencia variará dependiendo de la SDRAM utilizado)
UL Rating 94 V - 0
Temperatura de funcionamiento 0º C to 85º C
Temperatura de almacenamiento -55º C to +100º C
Ficha técnica
- Marca
- Kingston
- Formato
- Tarjeta de Memoria
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